창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF640STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF640S(L)/SIHF640S(L) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRF640STRLPBF-ND IRF640STRLPBFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF640STRLPBF | |
관련 링크 | IRF640S, IRF640STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GRM1556T1H7R3CD01D | 7.3pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556T1H7R3CD01D.pdf | |
![]() | T110A105K035AS | 1µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 35V Axial 8 Ohm 0.135" Dia x 0.286" L (3.43mm x 7.26mm) | T110A105K035AS.pdf | |
![]() | H448R7BDA | RES 48.7 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H448R7BDA.pdf | |
![]() | 95J14K | RES 14K OHM 5W 5% AXIAL | 95J14K.pdf | |
![]() | 90331111010 | 90331111010 AEP SMD or Through Hole | 90331111010.pdf | |
![]() | RF2131TR13X | RF2131TR13X RFMD SOP | RF2131TR13X.pdf | |
![]() | mbm27c1001-15tv | mbm27c1001-15tv SMD FUJITSU | mbm27c1001-15tv.pdf | |
![]() | SWI1008CT18NG | SWI1008CT18NG AOBA SMD | SWI1008CT18NG.pdf | |
![]() | S30814-Q222-A-8(BZ/BN) | S30814-Q222-A-8(BZ/BN) SIE ZIP7 | S30814-Q222-A-8(BZ/BN).pdf | |
![]() | FCT2 | FCT2 NIPPONSEISEN SMD or Through Hole | FCT2.pdf | |
![]() | LM837M. | LM837M. NS SOP | LM837M..pdf | |
![]() | MA3J142DOLSO | MA3J142DOLSO Panasonic SOT-323 | MA3J142DOLSO.pdf |