창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF620STRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF620S, SiHF620S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 3.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF620STRRPBF | |
관련 링크 | IRF620S, IRF620STRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 885012010006 | 220pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 885012010006.pdf | |
![]() | 402F24033CDT | 24MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F24033CDT.pdf | |
![]() | ERJ-S08F78R7V | RES SMD 78.7 OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F78R7V.pdf | |
![]() | CP00103K900JB14 | RES 3.9K OHM 10W 5% AXIAL | CP00103K900JB14.pdf | |
![]() | K48L0R9BFS | K48L0R9BFS ORIGINAL SMD or Through Hole | K48L0R9BFS.pdf | |
![]() | MKC03-48DS12 | MKC03-48DS12 P-DUKE SMD or Through Hole | MKC03-48DS12.pdf | |
![]() | ERJGEYG472V | ERJGEYG472V KOA SMD or Through Hole | ERJGEYG472V.pdf | |
![]() | A-43805 | A-43805 ORIGINAL SMD or Through Hole | A-43805.pdf | |
![]() | MAX661CSA | MAX661CSA N/A SO-8 | MAX661CSA.pdf | |
![]() | AD7569JD | AD7569JD AD DIP | AD7569JD.pdf | |
![]() | 651 A1 | 651 A1 SIS SMD or Through Hole | 651 A1.pdf |