창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3205ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF3205Z(S,L) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 66A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF3205ZPBF 64-0096PBF 64-0096PBF-ND SP001574672 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF3205ZPBF | |
관련 링크 | IRF320, IRF3205ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | LBC2012T4R7MV | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 295mA 500 mOhm 0805 (2012 Metric) | LBC2012T4R7MV.pdf | |
![]() | RCP0603W82R0GTP | RES SMD 82 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W82R0GTP.pdf | |
![]() | 211CC3S1161 | 211CC3S1161 FCI SMD or Through Hole | 211CC3S1161.pdf | |
![]() | SA-5150A | SA-5150A COPAL DIP-6 | SA-5150A.pdf | |
![]() | SMCJ8.0A(GDR0E) | SMCJ8.0A(GDR0E) GE SMC | SMCJ8.0A(GDR0E).pdf | |
![]() | TSX-3225 32.000000MHZ 12PF 10PPM | TSX-3225 32.000000MHZ 12PF 10PPM EPSON SMD or Through Hole | TSX-3225 32.000000MHZ 12PF 10PPM.pdf | |
![]() | SIOV-B32K150 | SIOV-B32K150 SIEMENS SMD or Through Hole | SIOV-B32K150.pdf | |
![]() | APM4826 | APM4826 ANPEC SO8 | APM4826.pdf | |
![]() | GSS9431 | GSS9431 GTM SOP-8 | GSS9431.pdf | |
![]() | PMC6388-RI | PMC6388-RI PMC QFP | PMC6388-RI.pdf | |
![]() | PT6644P | PT6644P TIS Call | PT6644P.pdf |