창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF3205ZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF3205Z(S,L) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 66A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF3205ZPBF 64-0096PBF 64-0096PBF-ND SP001574672 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF3205ZPBF | |
| 관련 링크 | IRF320, IRF3205ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RC0603F121CS | RES SMD 120 OHM 1% 1/20W 0201 | RC0603F121CS.pdf | |
![]() | CMF50976R00FHEB | RES 976 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50976R00FHEB.pdf | |
![]() | V54C3256404VBS7 | V54C3256404VBS7 MOSEL BGA | V54C3256404VBS7.pdf | |
![]() | L10.7MHZ | L10.7MHZ N NA | L10.7MHZ.pdf | |
![]() | NS6L083AT | NS6L083AT NICHIA SMD | NS6L083AT.pdf | |
![]() | STAC9228D5TAEA2X | STAC9228D5TAEA2X SIGMATEL QFN | STAC9228D5TAEA2X.pdf | |
![]() | VJ0612Y223KXAAT | VJ0612Y223KXAAT VISHAY SMD | VJ0612Y223KXAAT.pdf | |
![]() | AH661 | AH661 AH SOT-23 | AH661.pdf | |
![]() | LM311DR TI | LM311DR TI TI SOP | LM311DR TI.pdf | |
![]() | 18V01JI | 18V01JI ATI PLCC-20 | 18V01JI.pdf | |
![]() | SI9945AEY-E1/SI9945ADY-E1 | SI9945AEY-E1/SI9945ADY-E1 SILICONI SOP | SI9945AEY-E1/SI9945ADY-E1.pdf |