창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF2807ZSTRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF2807Z(S,L) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 53A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF2807ZSTRL | |
관련 링크 | IRF2807, IRF2807ZSTRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CDRH5D18RNP-100NC | 10µH Shielded Inductor 1.2A 124 mOhm Max Nonstandard | CDRH5D18RNP-100NC.pdf | |
![]() | BSR19AUMZ27N74HCT1 | BSR19AUMZ27N74HCT1 n/a SMD or Through Hole | BSR19AUMZ27N74HCT1.pdf | |
![]() | CC45SL3AD100JYHN | CC45SL3AD100JYHN TDK DIP | CC45SL3AD100JYHN.pdf | |
![]() | AT6002LV-2JC(4JC) | AT6002LV-2JC(4JC) ATMEL PLCC | AT6002LV-2JC(4JC).pdf | |
![]() | B0318LS-1W | B0318LS-1W SUC SIP | B0318LS-1W.pdf | |
![]() | BLM18BA121SH1D | BLM18BA121SH1D MURATA SMD | BLM18BA121SH1D.pdf | |
![]() | LT1769CGN#PBF | LT1769CGN#PBF none none | LT1769CGN#PBF.pdf | |
![]() | C1G/163 | C1G/163 TOSHIBA SOT-163 | C1G/163.pdf | |
![]() | SN54S374J-B | SN54S374J-B AMD CDIP20 | SN54S374J-B.pdf | |
![]() | 222277829E3- | 222277829E3- VISHAY DIP | 222277829E3-.pdf | |
![]() | REC7.5-0505SRWZ/H2/A/M | REC7.5-0505SRWZ/H2/A/M RECOM DIP24 | REC7.5-0505SRWZ/H2/A/M.pdf |