창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF2807ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF2807Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF2807Z Saber Model IRF2807Z Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 53A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF2807ZPBF SP001574688 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF2807ZPBF | |
관련 링크 | IRF280, IRF2807ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MAX367CWN | IC SIGNAL-LINE CIRC PROT 18-SOIC | MAX367CWN.pdf | |
![]() | ERJ-1GNF2000C | RES SMD 200 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF2000C.pdf | |
![]() | RMCF1206JT12M0 | RES SMD 12M OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JT12M0.pdf | |
![]() | AT1206BRD0773K2L | RES SMD 73.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD0773K2L.pdf | |
![]() | AD51/043-IREEL(ADM10 | AD51/043-IREEL(ADM10 AD SOP | AD51/043-IREEL(ADM10.pdf | |
![]() | CL-A3033SR | CL-A3033SR CL SMD or Through Hole | CL-A3033SR.pdf | |
![]() | IC-PST3642UL | IC-PST3642UL MITSUMI SOT-343 | IC-PST3642UL.pdf | |
![]() | AD722XR | AD722XR AD SMD or Through Hole | AD722XR.pdf | |
![]() | BN8651.1 | BN8651.1 ORIGINAL SMD or Through Hole | BN8651.1.pdf | |
![]() | QFBR7199P | QFBR7199P AGILENT MODL | QFBR7199P.pdf | |
![]() | EP1S25F672I8N | EP1S25F672I8N ALTERA BGA672 | EP1S25F672I8N.pdf |