창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF2807ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF2807Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF2807Z Saber Model IRF2807Z Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 53A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF2807ZPBF SP001574688 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF2807ZPBF | |
관련 링크 | IRF280, IRF2807ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | LC26 | TVS DIODE 26VWM 46.6VC DO202AA | LC26.pdf | |
![]() | RSF1JT2K40 | RES MO 1W 2.4K OHM 5% AXIAL | RSF1JT2K40.pdf | |
![]() | LPC2470FBD20851 | LPC2470FBD20851 NXP SMD or Through Hole | LPC2470FBD20851.pdf | |
![]() | ZMM5.1B | ZMM5.1B ORIGINAL SMD or Through Hole | ZMM5.1B.pdf | |
![]() | LM3468 | LM3468 ST SMD or Through Hole | LM3468.pdf | |
![]() | SK12BL-C | SK12BL-C ORIGINAL SMB DO-214AA | SK12BL-C.pdf | |
![]() | MC34167G | MC34167G ON SMD or Through Hole | MC34167G.pdf | |
![]() | LY6251216 | LY6251216 Lyontek 44TSOP-II | LY6251216.pdf | |
![]() | SN74CB3T3306DCUR NOPB | SN74CB3T3306DCUR NOPB TI VSSOP8 | SN74CB3T3306DCUR NOPB.pdf | |
![]() | D784936AGF146 | D784936AGF146 NEC QFP100 | D784936AGF146.pdf | |
![]() | NMJ2606D | NMJ2606D JRC DIP-8 | NMJ2606D.pdf |