창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1503PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF1503PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 140A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5730pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF1503PBF SP001561384 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF1503PBF | |
관련 링크 | IRF150, IRF1503PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 4-1625868-7 | RES SMD 16.2 OHM 0.1% 1/4W 0805 | 4-1625868-7.pdf | |
4608X-102-514LF | RES ARRAY 4 RES 510K OHM 8SIP | 4608X-102-514LF.pdf | ||
![]() | MBA02040C1009FCT00 | RES 10 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1009FCT00.pdf | |
![]() | G606 | G606 GMT SOP8 | G606.pdf | |
![]() | L5972AD013TR | L5972AD013TR ST SOP8 | L5972AD013TR.pdf | |
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![]() | 09P-331K-50 | 09P-331K-50 Fastron DIP | 09P-331K-50.pdf | |
![]() | BA27000DRKR | BA27000DRKR ORIGINAL QFN | BA27000DRKR.pdf | |
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![]() | M37272M8-1 | M37272M8-1 ORIGINAL SOP | M37272M8-1.pdf | |
![]() | HI2417P | HI2417P HI DIP8 | HI2417P.pdf | |
![]() | MV5364MP4A | MV5364MP4A FAIRCHILD ROHS | MV5364MP4A.pdf |