창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1407PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF1407PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRF1407PBF Saber Model IRF1407PBF Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.8m옴 @ 78A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 330W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF1407PBF SP001564238 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1407PBF | |
| 관련 링크 | IRF140, IRF1407PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RG1608N-224-W-T1 | RES SMD 220KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-224-W-T1.pdf | |
![]() | RN73C1J63R4BTG | RES SMD 63.4 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J63R4BTG.pdf | |
![]() | ST62T01B6/HWD | ST62T01B6/HWD ST DIP-16 | ST62T01B6/HWD.pdf | |
![]() | ADSP2115-80 | ADSP2115-80 AD PLCC68 | ADSP2115-80.pdf | |
![]() | LQP31A15NG04M | LQP31A15NG04M ORIGINAL SMD | LQP31A15NG04M.pdf | |
![]() | ACT138B | ACT138B TOS SOP | ACT138B.pdf | |
![]() | SRR0805330Y | SRR0805330Y BOURNS SMD or Through Hole | SRR0805330Y.pdf | |
![]() | RCLXT16727FJ | RCLXT16727FJ INTEL PBGA | RCLXT16727FJ.pdf | |
![]() | 220100405628 | 220100405628 YAGEO SMD | 220100405628.pdf | |
![]() | AT49BV322A-70AI | AT49BV322A-70AI AT TSSOP | AT49BV322A-70AI.pdf | |
![]() | MBM29LV160BE70NC-K | MBM29LV160BE70NC-K FUJITSU TSOP-48 | MBM29LV160BE70NC-K.pdf |