Infineon Technologies IRF1018ESLPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF1018ESLPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IRF1018ESLPBF 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,000.77125
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IRF1018ESLPBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRF1018ESLPBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRF1018ESLPBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IRF1018ESLPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF1018ESLPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1018ESLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF1018E (S,SL) PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 주요제품 | Automatic Opening Systems | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 79A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 47A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2290pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001550908 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1018ESLPBF | |
| 관련 링크 | IRF1018, IRF1018ESLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IRF1018ESLPBF 의 관련 제품
 | GMD-250-R | FUSE GLASS 250MA 250VAC 5X20MM | GMD-250-R.pdf | |
 | LP111F35IET | 11.0592MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP111F35IET.pdf | |
 | 445A31K12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A31K12M00000.pdf | |
| ISL60002BIH312 | ISL60002BIH312 INTER SOT23-3 | ISL60002BIH312.pdf | |
| SCO02032000MHZ | SCO02032000MHZ SIEMENS SMD or Through Hole | SCO02032000MHZ.pdf | |
| TMC2084-HT | TMC2084-HT SMSC QFP | TMC2084-HT.pdf | |
| MT48LC2M32B2P-2G | MT48LC2M32B2P-2G MICRON TSOP | MT48LC2M32B2P-2G.pdf | |
| CLH1608T-1N2S-H | CLH1608T-1N2S-H ORIGINAL SMD or Through Hole | CLH1608T-1N2S-H.pdf | |
| 1206N120G101LG | 1206N120G101LG ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206N120G101LG.pdf | |
| LAMDBA | LAMDBA ORIGINAL SMD or Through Hole | LAMDBA.pdf | |
| GS1K W T/R | GS1K W T/R PANJIT SOD-214 | GS1K W T/R.pdf |