창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1010NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF1010NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF1010NPBF Saber Model IRF1010NPBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 43A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF1010NPBF SP001563032 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF1010NPBF | |
관련 링크 | IRF101, IRF1010NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | NH0G100 | FUSE SQUARE 100A 500VAC/440VDC | NH0G100.pdf | |
![]() | SMDJ130CA-T7 | TVS DIODE 130VWM 209VC 214AB | SMDJ130CA-T7.pdf | |
![]() | IRFB4110GPBF | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | IRFB4110GPBF.pdf | |
![]() | RT1206WRB072K1L | RES SMD 2.1K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB072K1L.pdf | |
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![]() | 10DF6 T/B | 10DF6 T/B ORIGINAL SMD or Through Hole | 10DF6 T/B.pdf | |
![]() | LR376483 | LR376483 SHARP QFP | LR376483.pdf | |
![]() | C1206NPO1H152J500 | C1206NPO1H152J500 ORIGINAL SMD or Through Hole | C1206NPO1H152J500.pdf | |
![]() | 6-175612-1 | 6-175612-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 6-175612-1.pdf | |
![]() | KIA1117AS25-RTK/P | KIA1117AS25-RTK/P KEC SOT-223 | KIA1117AS25-RTK/P.pdf | |
![]() | PC51634 | PC51634 MOTOROLA BGA | PC51634.pdf |