창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRAM136-1061A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRAM136-1061A | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | IRAM Product Factory Relocation 9/Aug/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 전력 구동기 - 모듈 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | iMOTION™ | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 유형 | IGBT | |
| 구성 | 3상 | |
| 전류 | 12A | |
| 전압 | 600V | |
| 전압 - 분리 | 2000Vrms | |
| 패키지/케이스 | 21-SSIP, 노출형 패드, 성형 리드(Lead) | |
| 표준 포장 | 80 | |
| 다른 이름 | SP001539738 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRAM136-1061A | |
| 관련 링크 | IRAM136, IRAM136-1061A 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 08055A6R0BAT2A | 6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A6R0BAT2A.pdf | |
![]() | BSZ440N10NS3 G | MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 | BSZ440N10NS3 G.pdf | |
![]() | 100321RADIC-RJ006 | 100321RADIC-RJ006 HARRIS PLCC84 | 100321RADIC-RJ006.pdf | |
![]() | M35500AFP | M35500AFP MIT QFP44 | M35500AFP.pdf | |
![]() | JQX-13F2Z | JQX-13F2Z ORIGINAL SMD or Through Hole | JQX-13F2Z.pdf | |
![]() | SBD120UG | SBD120UG ORIGINAL SMD or Through Hole | SBD120UG.pdf | |
![]() | 30.750MHZ | 30.750MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | 30.750MHZ.pdf | |
![]() | TLG1002 | TLG1002 ORIGINAL SMD or Through Hole | TLG1002.pdf | |
![]() | WD5003ABYX-01WERA0 | WD5003ABYX-01WERA0 ORIGINAL SMD or Through Hole | WD5003ABYX-01WERA0.pdf | |
![]() | HM9903 | HM9903 ORIGINAL SMD or Through Hole | HM9903.pdf | |
![]() | FW82801FR,SL79N | FW82801FR,SL79N INTEL SMD or Through Hole | FW82801FR,SL79N.pdf | |
![]() | MM57163N | MM57163N NSC DIP28 | MM57163N.pdf |