창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW90R1K2C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPW90R1K2C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 310µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IPW90R1K2C3FKSA1 SP000413754 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW90R1K2C3 | |
관련 링크 | IPW90R, IPW90R1K2C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | AA0805JR-076R8L | RES SMD 6.8 OHM 5% 1/8W 0805 | AA0805JR-076R8L.pdf | |
![]() | CMF555K0000FHR6 | RES 5K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF555K0000FHR6.pdf | |
![]() | CB10JBR560 | RES .56 OHM 10W 5% CERAMIC WW | CB10JBR560.pdf | |
![]() | P51-100-G-AD-M12-5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-100-G-AD-M12-5V-000-000.pdf | |
![]() | S3J_ R2 _10001 | S3J_ R2 _10001 PANJIT SSOP | S3J_ R2 _10001.pdf | |
![]() | MN2332E | MN2332E N/A NA | MN2332E.pdf | |
![]() | VI-965 | VI-965 VICOR SMD or Through Hole | VI-965.pdf | |
![]() | 216PGAGA12F | 216PGAGA12F ATI BGA | 216PGAGA12F.pdf | |
![]() | 3266Z-1-503R | 3266Z-1-503R BOURNS SMD or Through Hole | 3266Z-1-503R.pdf | |
![]() | EP9312-CBZ/E2 | EP9312-CBZ/E2 CS 352PBGA | EP9312-CBZ/E2.pdf | |
![]() | MFRX250 | MFRX250 Bo DIP | MFRX250.pdf |