창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW65R660CFDFKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R660CFD | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 700V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 2.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 615pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW65R660CFD IPW65R660CFD-ND SP000861700 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW65R660CFDFKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW65R660C, IPW65R660CFDFKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 25WA3300MEFC18X20 | 3300µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 25WA3300MEFC18X20.pdf | |
![]() | WKP101MCPDF0KR | 100pF 760VAC 세라믹 커패시터 Y5S 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | WKP101MCPDF0KR.pdf | |
![]() | RT0805BRD07221RL | RES SMD 221 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07221RL.pdf | |
![]() | CMF55210R00DHEB | RES 210 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55210R00DHEB.pdf | |
![]() | Y000732K4000B0L | RES 32.4K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y000732K4000B0L.pdf | |
![]() | SFL450J4 | SFL450J4 ORIGINAL SMD or Through Hole | SFL450J4.pdf | |
![]() | FW82544E1 | FW82544E1 INTEL BGA | FW82544E1.pdf | |
![]() | HY5116164BT-50 | HY5116164BT-50 HY SOP | HY5116164BT-50.pdf | |
![]() | 9000-0118 | 9000-0118 COTO SMD or Through Hole | 9000-0118.pdf | |
![]() | KAB-2402-322NA31010 | KAB-2402-322NA31010 MATSUO SMD or Through Hole | KAB-2402-322NA31010.pdf | |
![]() | LA8040 | LA8040 ORIGINAL SMD or Through Hole | LA8040.pdf | |
![]() | KFG1G16Q2M-DEB5000 | KFG1G16Q2M-DEB5000 SAMSUNG SMD or Through Hole | KFG1G16Q2M-DEB5000.pdf |