창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW65R190E6FKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R190E6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 7.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 730µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1620pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 151W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW65R190E6 IPW65R190E6-ND SP000863906 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW65R190E6FKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW65R190, IPW65R190E6FKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GL250F23IET | 25MHz ±20ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL250F23IET.pdf | |
![]() | 2N4416-E3 | JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF | 2N4416-E3.pdf | |
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![]() | MCL MQA-109-2 | MCL MQA-109-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | MCL MQA-109-2.pdf | |
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![]() | UK-1260 | UK-1260 SINOWEALTH SMD or Through Hole | UK-1260.pdf | |
![]() | MAX3748BAETE-T | MAX3748BAETE-T MAXIM QFN | MAX3748BAETE-T.pdf | |
![]() | 2SC2240BL/2SA970BL | 2SC2240BL/2SA970BL TOSHIBA TO-92 | 2SC2240BL/2SA970BL.pdf | |
![]() | PIC30F4013-I/PT | PIC30F4013-I/PT ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC30F4013-I/PT.pdf | |
![]() | 900CCA-1012=P2 | 900CCA-1012=P2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 900CCA-1012=P2.pdf | |
![]() | KMM364C124AJ7/KM416C1200AJ7 | KMM364C124AJ7/KM416C1200AJ7 SAM DIMM | KMM364C124AJ7/KM416C1200AJ7.pdf | |
![]() | E85379 | E85379 CONEXANT SMD or Through Hole | E85379.pdf |