창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW65R190CFDAFKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R190CFDA | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 7.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 700µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1850pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 151W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP000928268 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW65R190CFDAFKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW65R190C, IPW65R190CFDAFKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 12065A120GAT2A | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A120GAT2A.pdf | |
![]() | 402F260XXCDT | 26MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F260XXCDT.pdf | |
![]() | 591D475X9020B2 | 591D475X9020B2 VISHAY SMD | 591D475X9020B2.pdf | |
![]() | KAQW412 | KAQW412 COSMO DIP-8 | KAQW412.pdf | |
![]() | MC68HC908LJ24CPQ | MC68HC908LJ24CPQ FREESCAL TQFP | MC68HC908LJ24CPQ.pdf | |
![]() | LDC15874M190Q-360 | LDC15874M190Q-360 MURATA SMD or Through Hole | LDC15874M190Q-360.pdf | |
![]() | DJA96009 | DJA96009 SEMITEC SMD or Through Hole | DJA96009.pdf | |
![]() | NAND256R3A2BZB6E | NAND256R3A2BZB6E NUMONYX FBGA | NAND256R3A2BZB6E.pdf | |
![]() | XC3S4000 FG900 4I | XC3S4000 FG900 4I ORIGINAL BGA-900D | XC3S4000 FG900 4I.pdf | |
![]() | SKKH161/12D | SKKH161/12D SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKH161/12D.pdf |