창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW65R080CFDAFKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPW65R080CFDA | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 10/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 17.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.76mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 161nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 391W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | SP000875806 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW65R080CFDAFKSA1 | |
관련 링크 | IPW65R080C, IPW65R080CFDAFKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CT2520DB19200C0FLHAF | 19.2MHz ±10ppm 수정 7pF 80옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CT2520DB19200C0FLHAF.pdf | |
![]() | AF1210FR-0739R2L | RES SMD 39.2 OHM 1% 1/2W 1210 | AF1210FR-0739R2L.pdf | |
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![]() | ICSCLK756J40FLFT | ICSCLK756J40FLFT ICS SSOP56 | ICSCLK756J40FLFT.pdf | |
![]() | CPF3511R00JK | CPF3511R00JK VISHAY/DALE SMD or Through Hole | CPF3511R00JK.pdf | |
![]() | TDA7052BTN1 | TDA7052BTN1 ph SMD or Through Hole | TDA7052BTN1.pdf | |
![]() | OM5934-8CD | OM5934-8CD PHI SSOP | OM5934-8CD.pdf |