창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW65R019C7FKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW65R019C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 58.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.92mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 215nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9900pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 446W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP000928646 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW65R019C7FKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW65R019, IPW65R019C7FKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CURM103-G | DIODE GEN PURP 200V 1A MINISMA | CURM103-G.pdf | |
![]() | CS9601J | CS9601J CHESEN DIP | CS9601J.pdf | |
![]() | MA3036-H(TX)+ | MA3036-H(TX)+ panasonic SOT23-3 | MA3036-H(TX)+.pdf | |
![]() | SAA4979H/V111 | SAA4979H/V111 PHI QFP | SAA4979H/V111.pdf | |
![]() | H1070NL | H1070NL PULSE SOP | H1070NL.pdf | |
![]() | SAB-C161P1-L16 | SAB-C161P1-L16 INFINEON SMD or Through Hole | SAB-C161P1-L16.pdf | |
![]() | PG0375NL | PG0375NL PULSE SMD or Through Hole | PG0375NL.pdf | |
![]() | AD75O1JN | AD75O1JN AD DIPSMD | AD75O1JN.pdf | |
![]() | RTHE60TKYB222K | RTHE60TKYB222K ORIGINAL ORIGINAL | RTHE60TKYB222K.pdf | |
![]() | IDT70V3389S4BC8 | IDT70V3389S4BC8 IDT qfp | IDT70V3389S4BC8.pdf |