창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R299CP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW60R299CP | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 96W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPX IPW60R299CPXK SP000103251 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R299CP | |
| 관련 링크 | IPW60R, IPW60R299CP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D2R7BLAAC | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R7BLAAC.pdf | |
![]() | FT-H20W-M1 | HEAT-RESISTANT 1M FIX-LGTH R10MM | FT-H20W-M1.pdf | |
![]() | 10AN06AO | 10AN06AO F TO252 | 10AN06AO.pdf | |
![]() | DW-5V1 | DW-5V1 ST LL-34 | DW-5V1.pdf | |
![]() | LA733P 144 | LA733P 144 MOT TO92-3 | LA733P 144.pdf | |
![]() | TR09BFTGB171N2B-DT | TR09BFTGB171N2B-DT AGERE BGA | TR09BFTGB171N2B-DT.pdf | |
![]() | UPC1519HA | UPC1519HA NEC SIP7 | UPC1519HA.pdf | |
![]() | NK4EB-890 | NK4EB-890 ORIGINAL SMD or Through Hole | NK4EB-890.pdf | |
![]() | ATF-54143-TR1 4F | ATF-54143-TR1 4F Agilent SMD or Through Hole | ATF-54143-TR1 4F.pdf | |
![]() | CKA-1122 | CKA-1122 JAPAN SMD68 | CKA-1122.pdf | |
![]() | EE-SY190 | EE-SY190 Omron SMD or Through Hole | EE-SY190.pdf |