창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R190C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R190C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 151W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW60R190C6FKSA1 SP000621160 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R190C6 | |
| 관련 링크 | IPW60R, IPW60R190C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MLF2012A4R7KT000 | 4.7µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 700 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A4R7KT000.pdf | |
![]() | MPMT20018001FT1 | RES NTWRK 2 RES MULT OHM TO236-3 | MPMT20018001FT1.pdf | |
![]() | RNF12JTD4K70 | RES 4.7K OHM 1/2W 5% AXIAL | RNF12JTD4K70.pdf | |
![]() | PTF04BG471Q2N34B0 | PTF04BG471Q2N34B0 MURATA SMD or Through Hole | PTF04BG471Q2N34B0.pdf | |
![]() | 50K-3362 | 50K-3362 ORIGINAL SMD or Through Hole | 50K-3362.pdf | |
![]() | MFC21B6 | MFC21B6 ST DIP-8 | MFC21B6.pdf | |
![]() | DCP1049 | DCP1049 N/A QFN5 | DCP1049.pdf | |
![]() | M018E | M018E EPCOS SMD or Through Hole | M018E.pdf | |
![]() | A3952SB. | A3952SB. ALLEGRO DIP16 | A3952SB..pdf | |
![]() | PT7D5820LM | PT7D5820LM PT QFP100 | PT7D5820LM.pdf | |
![]() | TL28914DR | TL28914DR TI SOP-8 | TL28914DR.pdf | |
![]() | 415M327 | 415M327 EPSON SMD | 415M327.pdf |