창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW60R160C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R160C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 11.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 750µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 176W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IPW60R160C6FKSA1 SP000652798 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW60R160C6 | |
관련 링크 | IPW60R, IPW60R160C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RT0805FRD0776K8L | RES SMD 76.8K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD0776K8L.pdf | |
![]() | RT0603BRC073K16L | RES SMD 3.16KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC073K16L.pdf | |
![]() | Y1453400R000V0L | RES 400 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y1453400R000V0L.pdf | |
![]() | ARV12N12Q | RF Switch IC General Purpose SPDT 8GHz 50 Ohm Module | ARV12N12Q.pdf | |
![]() | LT3021ES8PBF | LT3021ES8PBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT3021ES8PBF.pdf | |
![]() | S-8327B30MC-ERK-T2 | S-8327B30MC-ERK-T2 SEIKO SOT23-5 | S-8327B30MC-ERK-T2.pdf | |
![]() | NM24C16LM8 | NM24C16LM8 FAIRCHILD SMD or Through Hole | NM24C16LM8.pdf | |
![]() | 25V 225K | 25V 225K ORIGINAL SMD or Through Hole | 25V 225K.pdf | |
![]() | LP2985IMX-12 | LP2985IMX-12 NSC S0T-23-5 | LP2985IMX-12.pdf | |
![]() | ERJ6RND3160V | ERJ6RND3160V ORIGINAL SMD or Through Hole | ERJ6RND3160V.pdf | |
![]() | LFSCM3GA80EP1-7FCN1152C | LFSCM3GA80EP1-7FCN1152C LATTICE BGA | LFSCM3GA80EP1-7FCN1152C.pdf | |
![]() | SG615PCWB/125MHZ | SG615PCWB/125MHZ EPSON SMD or Through Hole | SG615PCWB/125MHZ.pdf |