창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R160C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R160C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 11.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 750µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 176W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW60R160C6FKSA1 SP000652798 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R160C6 | |
| 관련 링크 | IPW60R, IPW60R160C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | FRC5-C64L51T-0L | FRC5-C64L51T-0L DDK SMD or Through Hole | FRC5-C64L51T-0L.pdf | |
![]() | 045103.5MR(3.5A) | 045103.5MR(3.5A) LITTELFUSE 1808 | 045103.5MR(3.5A).pdf | |
![]() | MC6814C705C8P | MC6814C705C8P MC DIP | MC6814C705C8P.pdf | |
![]() | 30R-JMCS-G-TF(N) | 30R-JMCS-G-TF(N) JST PCS | 30R-JMCS-G-TF(N).pdf | |
![]() | T16081 | T16081 FUJ QFP | T16081.pdf | |
![]() | DHS1011(TUBES) | DHS1011(TUBES) INFINEON SOP12 | DHS1011(TUBES).pdf | |
![]() | CSTCR4M00G55A-R0 4M PB-FREE | CSTCR4M00G55A-R0 4M PB-FREE MURATA SMD or Through Hole | CSTCR4M00G55A-R0 4M PB-FREE.pdf | |
![]() | 54F651DC | 54F651DC NS CDIP24 | 54F651DC.pdf | |
![]() | PICF767-1/SS | PICF767-1/SS PIC SSOP28 | PICF767-1/SS.pdf | |
![]() | RM04FTN30R1 | RM04FTN30R1 TAI-TECH SMD or Through Hole | RM04FTN30R1.pdf | |
![]() | RYT121 049/4 | RYT121 049/4 ORIGINAL CDIP | RYT121 049/4.pdf | |
![]() | MHW851-1 | MHW851-1 MOT SMD or Through Hole | MHW851-1.pdf |