창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R070P6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW60R070P6 | |
| 주요제품 | Solid State RF Powered Oven Solution | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 20.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.72mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 391W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP001114660 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R070P6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW60R070, IPW60R070P6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | B32562J6154K289 | 0.15µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP | B32562J6154K289.pdf | |
![]() | 416F440X2CLT | 44MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X2CLT.pdf | |
![]() | IT8673 | IT8673 ITE QFP | IT8673.pdf | |
![]() | 613676H | 613676H ORIGINAL SMD or Through Hole | 613676H.pdf | |
![]() | 49LF030A-33-4C-NH | 49LF030A-33-4C-NH ORIGINAL CCXH | 49LF030A-33-4C-NH.pdf | |
![]() | WL4669CQ | WL4669CQ ML PLCC | WL4669CQ.pdf | |
![]() | ITD3200TR | ITD3200TR ORIGINAL SMD or Through Hole | ITD3200TR.pdf | |
![]() | MIC426BJ | MIC426BJ MICREL CDIP8 | MIC426BJ.pdf | |
![]() | M58LW064D110N1F | M58LW064D110N1F ST TSOP | M58LW064D110N1F.pdf | |
![]() | 55084704200 | 55084704200 SUMIDA SMD or Through Hole | 55084704200.pdf | |
![]() | Z2P | Z2P ORIGINAL S0T-23 | Z2P.pdf | |
![]() | RJ5-10V471MF3 | RJ5-10V471MF3 ELNA DIP | RJ5-10V471MF3.pdf |