창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R041P6FKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW60R041P6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 77.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 35.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 2.96mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8180pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 481W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW60R041P6FKSA1-5 SP001091630 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R041P6FKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW60R041, IPW60R041P6FKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 3KASMC15AHM3_A/H | TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMCJ | 3KASMC15AHM3_A/H.pdf | |
![]() | RT1206DRE0718R7L | RES SMD 18.7 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0718R7L.pdf | |
![]() | AM91L22-35PC | AM91L22-35PC AMD DIP24 | AM91L22-35PC.pdf | |
![]() | S1A2206D01-DOBO | S1A2206D01-DOBO SAM DIP-16P | S1A2206D01-DOBO.pdf | |
![]() | PT2607B-S | PT2607B-S PTC SOP18 | PT2607B-S.pdf | |
![]() | 30088 | 30088 BOS DIP | 30088.pdf | |
![]() | S-24CS16A0I-J8T1GE | S-24CS16A0I-J8T1GE SEIKO SOP-8 | S-24CS16A0I-J8T1GE.pdf | |
![]() | 5W200MΩ | 5W200MΩ ORIGINAL SMD or Through Hole | 5W200MΩ.pdf | |
![]() | D6450CX536 | D6450CX536 NEC DIP | D6450CX536.pdf | |
![]() | JE802 | JE802 ON TO-126 | JE802.pdf | |
![]() | 592D337X96R3V2TE3 | 592D337X96R3V2TE3 VISHAY SMD | 592D337X96R3V2TE3.pdf | |
![]() | GTCA28-900M-P15(2RP090L-8) | GTCA28-900M-P15(2RP090L-8) Raychem DO-41 | GTCA28-900M-P15(2RP090L-8).pdf |