창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW60R041C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPW60R041C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 77.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 44.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 2.96mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6530pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 481W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IPW60R041C6FKSA1 SP000718886 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW60R041C6 | |
관련 링크 | IPW60R, IPW60R041C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RT0402DRE077K5L | RES SMD 7.5K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE077K5L.pdf | ||
CP00052R700JB14 | RES 2.7 OHM 5W 5% AXIAL | CP00052R700JB14.pdf | ||
LFSN25N18C1960BAH-951(LFB321G96SN1-951) | LFSN25N18C1960BAH-951(LFB321G96SN1-951) ORIGINAL 3225 | LFSN25N18C1960BAH-951(LFB321G96SN1-951).pdf | ||
822LY-181K | 822LY-181K TOKO 8RHB2 | 822LY-181K.pdf | ||
1445390-3 | 1445390-3 TYCO SMD or Through Hole | 1445390-3.pdf | ||
ST1R030BRA | ST1R030BRA US SMD or Through Hole | ST1R030BRA.pdf | ||
ATR0621P | ATR0621P ORIGINAL BGA | ATR0621P.pdf | ||
AI9110DJ | AI9110DJ ORIGINAL DIP-14 | AI9110DJ.pdf | ||
MA8120L | MA8120L PANASONIC SMD or Through Hole | MA8120L.pdf | ||
S5430F | S5430F ORIGINAL DIP | S5430F.pdf | ||
VI-JTZ-CY | VI-JTZ-CY ORIGINAL MODULE | VI-JTZ-CY.pdf | ||
CY7C271A-25JC | CY7C271A-25JC ORIGINAL SOJ | CY7C271A-25JC.pdf |