창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW50R199CPFKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW50R199CP | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 199m옴 @ 9.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 660µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 139W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW50R199CP IPW50R199CP-ND SP000236096 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW50R199CPFKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW50R199, IPW50R199CPFKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| 1393277-6 | Automotive Relay SPDT (1 Form C) 12VDC Coil Through Hole | 1393277-6.pdf | ||
![]() | MBA02040C1501FRP00 | RES 1.5K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1501FRP00.pdf | |
![]() | P51-75-G-C-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-G-C-I12-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | UJ260163 | UJ260163 ICS SSOP28M | UJ260163.pdf | |
![]() | 54AC175FMQB(5962-8955201FA) | 54AC175FMQB(5962-8955201FA) NS SMD or Through Hole | 54AC175FMQB(5962-8955201FA).pdf | |
![]() | EPA572 | EPA572 PCA SMD or Through Hole | EPA572.pdf | |
![]() | max638ecpa | max638ecpa max dip | max638ecpa.pdf | |
![]() | HC2W566M22020 | HC2W566M22020 SAMWHA SMD or Through Hole | HC2W566M22020.pdf | |
![]() | FMP06N60ES | FMP06N60ES FUJI TO-220 | FMP06N60ES.pdf | |
![]() | BA216 | BA216 NXP SOD34 | BA216.pdf |