창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPU60R1K5CEAKMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD60R1K5CE, IPU60R1K5CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 28W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO251 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | SP001396898 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPU60R1K5CEAKMA2 | |
관련 링크 | IPU60R1K5, IPU60R1K5CEAKMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | LP221M250A3P3 | 220µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 105°C | LP221M250A3P3.pdf | |
![]() | AIMC-0805-3N9S-T | 3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | AIMC-0805-3N9S-T.pdf | |
![]() | RG1608V-1910-B-T5 | RES SMD 191 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608V-1910-B-T5.pdf | |
![]() | AL2210B-S85QFSKO | AL2210B-S85QFSKO AIROHA QFN | AL2210B-S85QFSKO.pdf | |
![]() | MB85432BF-01-JCYERE1 | MB85432BF-01-JCYERE1 MOT SOP | MB85432BF-01-JCYERE1.pdf | |
![]() | LCX821 | LCX821 FAIRCHILD SSOP-24 | LCX821.pdf | |
![]() | CCR06CG122JRV | CCR06CG122JRV KEMET DIP | CCR06CG122JRV.pdf | |
![]() | SC1037MG | SC1037MG POWER DIP | SC1037MG.pdf | |
![]() | BZX84-C18(Y6) | BZX84-C18(Y6) ORIGINAL SOT23 | BZX84-C18(Y6).pdf | |
![]() | SIM-61774 | SIM-61774 JAPAN BGA | SIM-61774.pdf | |
![]() | C0603JRNPO9BB331J | C0603JRNPO9BB331J YAGEO SMD | C0603JRNPO9BB331J.pdf | |
![]() | UPD75216ACW-W49 | UPD75216ACW-W49 NEC DIP64 | UPD75216ACW-W49.pdf |