창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80P04P4L08AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80P04P4L-08 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴@ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5430pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000840212 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80P04P4L08AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP80P04P4, IPP80P04P4L08AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ10A-TP | TVS DIODE 10VWM 17VC SMB | SMBJ10A-TP.pdf | |
![]() | RG2012P-1693-B-T5 | RES SMD 169K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-1693-B-T5.pdf | |
![]() | RT0603CRC07309KL | RES SMD 309KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC07309KL.pdf | |
![]() | RG1608N-2321-D-T5 | RES SMD 2.32KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-2321-D-T5.pdf | |
![]() | MB89413-K37 | MB89413-K37 FUJ QFP80 | MB89413-K37.pdf | |
![]() | AD542JHZ | AD542JHZ AD CAN8 | AD542JHZ.pdf | |
![]() | TL2H92 | TL2H92 ORIGINAL SOP | TL2H92.pdf | |
![]() | HC08gG 500mA | HC08gG 500mA Hollyland SMD or Through Hole | HC08gG 500mA.pdf | |
![]() | S2SKB15N60 | S2SKB15N60 Infineon SOT-263 | S2SKB15N60.pdf | |
![]() | DN-FAP21V-DV | DN-FAP21V-DV DUNE BGA | DN-FAP21V-DV.pdf | |
![]() | YWM | YWM MIC SOP8 | YWM.pdf |