창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80P04P4L08AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80P04P4L-08 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴@ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5430pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000840212 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80P04P4L08AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP80P04P4, IPP80P04P4L08AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CC0805JRNPO9BN561 | 560pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805JRNPO9BN561.pdf | |
![]() | 12105G224ZAT4A | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12105G224ZAT4A.pdf | |
![]() | ASG2-D-X-A-500.000MHZ | 500MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 40mA Enable/Disable | ASG2-D-X-A-500.000MHZ.pdf | |
![]() | CTV222S-PRC1.1 | CTV222S-PRC1.1 PHILIPS DIP-42 | CTV222S-PRC1.1.pdf | |
![]() | STC89C58RD+40I-PLCC44 | STC89C58RD+40I-PLCC44 STC PLCC44 | STC89C58RD+40I-PLCC44.pdf | |
![]() | ESAC25-02NSC | ESAC25-02NSC FUJI T0-220 | ESAC25-02NSC.pdf | |
![]() | JAN/32403B2A | JAN/32403B2A TI SMD or Through Hole | JAN/32403B2A.pdf | |
![]() | MC68HCP11E1CFNE3 | MC68HCP11E1CFNE3 FREESCALE PLCC | MC68HCP11E1CFNE3.pdf | |
![]() | BCM47511IUBG | BCM47511IUBG BRO SMD or Through Hole | BCM47511IUBG.pdf | |
![]() | B78148T3151K009 | B78148T3151K009 EPCOS NA | B78148T3151K009.pdf |