창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80P04P4L06AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80P04P4L-06 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6580pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 88W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000842052 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80P04P4L06AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP80P04P4, IPP80P04P4L06AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-80.001-18-7SX-TR | 8.000156MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | ECS-80.001-18-7SX-TR.pdf | |
![]() | HM28-24010LF | 450µH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 130 mOhm | HM28-24010LF.pdf | |
![]() | LMX2582RHAT | RF IC VCO Cellular 20MHz ~ 5.5GHz 40-VQFN (6x6) | LMX2582RHAT.pdf | |
![]() | RD3.6UH-T1 3.6V | RD3.6UH-T1 3.6V NEC SOD0603 | RD3.6UH-T1 3.6V.pdf | |
![]() | 16YXA3300M12.5x25 | 16YXA3300M12.5x25 Rubycon DIP | 16YXA3300M12.5x25.pdf | |
![]() | M5L8049-117P-6 | M5L8049-117P-6 ORIGINAL DIP40 | M5L8049-117P-6.pdf | |
![]() | P1565-03N | P1565-03N MOT SMD or Through Hole | P1565-03N.pdf | |
![]() | EP78P459AKJ-G | EP78P459AKJ-G EM DIP | EP78P459AKJ-G.pdf | |
![]() | TRI-12D-SB-2CM-M | TRI-12D-SB-2CM-M TTI SMD or Through Hole | TRI-12D-SB-2CM-M.pdf | |
![]() | MB89165LPFV-G-250-BND | MB89165LPFV-G-250-BND ORIGINAL QFP | MB89165LPFV-G-250-BND.pdf |