창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N08S2L-07 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB,IPP80N08S2L-07 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.1m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 233nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N08S2L07 IPP80N08S2L07AKSA1 SP000219050 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N08S2L-07 | |
관련 링크 | IPP80N08, IPP80N08S2L-07 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ECA-2DHG220 | 22µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | ECA-2DHG220.pdf | |
![]() | GRM1555C1H3R9CA01J | 3.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H3R9CA01J.pdf | |
![]() | LQW15AN9N1G80D | 9.1nH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 80 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN9N1G80D.pdf | |
![]() | MOX-1-121005JE | RES 10M OHM 2.5W 5% AXIAL | MOX-1-121005JE.pdf | |
![]() | RQK0606KGDQA#H1 | RQK0606KGDQA#H1 RENESAS SMD or Through Hole | RQK0606KGDQA#H1.pdf | |
![]() | UT6264HC-70A | UT6264HC-70A SEP SMD or Through Hole | UT6264HC-70A.pdf | |
![]() | T54LS273M2RB | T54LS273M2RB ST CDIP20 | T54LS273M2RB.pdf | |
![]() | W8971D | W8971D WINBOND QFP | W8971D.pdf | |
![]() | BA159G | BA159G ORIGINAL DO-41 | BA159G.pdf | |
![]() | B3-2412D LF | B3-2412D LF BOTHHAND DIP14 | B3-2412D LF.pdf | |
![]() | 54F766/BYA | 54F766/BYA CY FP | 54F766/BYA.pdf |