창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S4L07AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S4L-07 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 40µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5680pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N06S4L-07 IPP80N06S4L-07-ND SP000415710 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N06S4L07AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N06S4, IPP80N06S4L07AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | AT0402DRD0769K8L | RES SMD 69.8KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD0769K8L.pdf | |
![]() | RMCP2010JT470R | RES SMD 470 OHM 5% 1W 2010 | RMCP2010JT470R.pdf | |
![]() | RP73D2A11R3BTG | RES SMD 11.3 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A11R3BTG.pdf | |
4608X-101-562LF | RES ARRAY 7 RES 5.6K OHM 8SIP | 4608X-101-562LF.pdf | ||
![]() | SR-TGD-019 | SR-TGD-019 ORIGINAL SMD or Through Hole | SR-TGD-019.pdf | |
![]() | UMX-487-D16-G | UMX-487-D16-G RFMD vco | UMX-487-D16-G.pdf | |
![]() | 1001AS-6R8M=P5 | 1001AS-6R8M=P5 TOKO SMD or Through Hole | 1001AS-6R8M=P5.pdf | |
![]() | SHP-150 | SHP-150 MINI SMD or Through Hole | SHP-150.pdf | |
![]() | NSA3341C | NSA3341C NDK SMD or Through Hole | NSA3341C.pdf | |
![]() | 26LS32BPC | 26LS32BPC RochesterElectron SMD or Through Hole | 26LS32BPC.pdf | |
![]() | 16x2 | 16x2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 16x2 .pdf |