창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S4L07AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N06S4L-07 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 40µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP80N06S4L-07 IPP80N06S4L-07-ND SP000415710 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80N06S4L07AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP80N06S4, IPP80N06S4L07AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMR05F201FPDR | CMR MICA | CMR05F201FPDR.pdf | |
![]() | CTX1000-1-52-R | 1mH Unshielded Toroidal Inductor 1.5A 638 mOhm Max Radial | CTX1000-1-52-R.pdf | |
![]() | F3SJ-A0880P25 | F3SJ-A0880P25 | F3SJ-A0880P25.pdf | |
![]() | PM5351BIP | PM5351BIP PMC BGA | PM5351BIP.pdf | |
![]() | 0402 910K F | 0402 910K F TASUND SMD or Through Hole | 0402 910K F.pdf | |
![]() | KMB5D5NP30Q | KMB5D5NP30Q KEC SOP-8 | KMB5D5NP30Q.pdf | |
![]() | 80400032407 | 80400032407 M SMD or Through Hole | 80400032407.pdf | |
![]() | LHLP12NB470M | LHLP12NB470M MURATA NULL | LHLP12NB470M.pdf | |
![]() | ASJW | ASJW ORIGINAL SOT-25 | ASJW.pdf | |
![]() | FDV305N TEL:82766440 | FDV305N TEL:82766440 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDV305N TEL:82766440.pdf | |
![]() | NP86N04CHE-AZ/JM | NP86N04CHE-AZ/JM NEC T0-220 | NP86N04CHE-AZ/JM.pdf | |
![]() | SM262A AA | SM262A AA SMI QFN | SM262A AA.pdf |