창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S2H5AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP80N06S2-H5 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 230µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP80N06S2-H5 IPP80N06S2-H5-ND SP000218155 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80N06S2H5AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP80N06S2, IPP80N06S2H5AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F500X2IDR | 50MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F500X2IDR.pdf | |
![]() | 1-1755144-0 | RELAYS | 1-1755144-0.pdf | |
![]() | AV9107-04 | AV9107-04 AVASEM SOP14 | AV9107-04.pdf | |
![]() | 1SS355 TE-17 ISS355 | 1SS355 TE-17 ISS355 ROHM SOD-323 | 1SS355 TE-17 ISS355.pdf | |
![]() | SBA4086Z | SBA4086Z RFMD SMT-86 | SBA4086Z.pdf | |
![]() | MYG14K431 | MYG14K431 ORIGINAL SMD or Through Hole | MYG14K431.pdf | |
![]() | FSP3307CAG | FSP3307CAG FSP SOT23-6L | FSP3307CAG.pdf | |
![]() | MBR1045-2 | MBR1045-2 IR TO-220 | MBR1045-2.pdf | |
![]() | 5C26C92A1B | 5C26C92A1B PHILIPS QFP-44 | 5C26C92A1B.pdf | |
![]() | SKKT92B08E | SKKT92B08E SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKT92B08E.pdf | |
![]() | N570CH28JOO | N570CH28JOO WESTCODE Module | N570CH28JOO.pdf | |
![]() | 2NH398 | 2NH398 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2NH398.pdf |