창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S209AKSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N06S2-09 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 125µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001061400 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80N06S209AKSA2 | |
| 관련 링크 | IPP80N06S2, IPP80N06S209AKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F44013ILT | 44MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44013ILT.pdf | |
![]() | KAI-1020-AAA-JP-BA | CCD Image Sensor 1000H x 1000V 7.4µm x 7.4µm 68-PGA (29.46x29.46) | KAI-1020-AAA-JP-BA.pdf | |
![]() | SPR16SP13136 | SPR16SP13136 CD SMD or Through Hole | SPR16SP13136.pdf | |
![]() | GC81L591L0 | GC81L591L0 KEC SMD or Through Hole | GC81L591L0.pdf | |
![]() | TCB10B800N000B4P | TCB10B800N000B4P ORIGINAL SMD | TCB10B800N000B4P.pdf | |
![]() | 9750-4i | 9750-4i Ware SMD or Through Hole | 9750-4i.pdf | |
![]() | AP432AV | AP432AV Anachip TO-92 | AP432AV.pdf | |
![]() | OECS-163.8-3-C3X1A | OECS-163.8-3-C3X1A ECS DIP | OECS-163.8-3-C3X1A.pdf | |
![]() | L8211L ZXNB4201JA16TC | L8211L ZXNB4201JA16TC UTC SMD or Through Hole | L8211L ZXNB4201JA16TC.pdf | |
![]() | BYV29-400127 | BYV29-400127 ORIGINAL SMD or Through Hole | BYV29-400127.pdf | |
![]() | RCT101-4 | RCT101-4 ORIGINAL SMD or Through Hole | RCT101-4.pdf | |
![]() | LMNP04SB100M-S | LMNP04SB100M-S ORIGINAL SMD or Through Hole | LMNP04SB100M-S.pdf |