창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S208AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N06S2-08 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 58A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 215W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP80N06S2-08 IPP80N06S2-08-ND SP000218826 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80N06S208AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP80N06S2, IPP80N06S208AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 742C083820JP | RES ARRAY 4 RES 82 OHM 1206 | 742C083820JP.pdf | |
![]() | CA46015-3000 | CA46015-3000 TI SSOP-14 | CA46015-3000.pdf | |
![]() | 2040204-1 | 2040204-1 Tyco/AMP SMD or Through Hole | 2040204-1.pdf | |
![]() | DS961173 | DS961173 NS DIP | DS961173.pdf | |
![]() | MB88501PF-G306M-BND | MB88501PF-G306M-BND FUJITSU QFP48 | MB88501PF-G306M-BND.pdf | |
![]() | M5M4C500AVP | M5M4C500AVP MEMORY SMD | M5M4C500AVP.pdf | |
![]() | MSD1260-824KLD | MSD1260-824KLD NULL SMD or Through Hole | MSD1260-824KLD.pdf | |
![]() | SBL25L30CT | SBL25L30CT VISHA TO220 | SBL25L30CT.pdf | |
![]() | 592D106X0010C2T | 592D106X0010C2T VISHAY SMD | 592D106X0010C2T.pdf | |
![]() | HSMK-A430-W40M2 | HSMK-A430-W40M2 AVAGO 2008 | HSMK-A430-W40M2.pdf | |
![]() | GC-56LC2-1 | GC-56LC2-1 KOYO SMD or Through Hole | GC-56LC2-1.pdf | |
![]() | LZJ5V6 | LZJ5V6 TC SMD or Through Hole | LZJ5V6.pdf |