창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S207AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-07 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 68A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N06S2-07 IPP80N06S2-07-ND SP000218810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N06S207AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N06S2, IPP80N06S207AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D111MLAAJ | 110pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111MLAAJ.pdf | |
![]() | BCR22PNH6327XTSA1 | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | BCR22PNH6327XTSA1.pdf | |
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![]() | RH035045ST-A8 | RH035045ST-A8 ERO SMD or Through Hole | RH035045ST-A8.pdf | |
![]() | 8925R-050-179-F | 8925R-050-179-F KEL SMD or Through Hole | 8925R-050-179-F.pdf | |
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![]() | SRM346F4N2B | SRM346F4N2B AUK SMD or Through Hole | SRM346F4N2B.pdf | |
![]() | KSA1962 | KSA1962 FSC TO-3P | KSA1962.pdf | |
![]() | RQT1010TMTL-E-H1 | RQT1010TMTL-E-H1 RENESAS SMD or Through Hole | RQT1010TMTL-E-H1.pdf | |
![]() | S120P | S120P ORIGINAL DIP28 | S120P.pdf | |
![]() | NFR21GD4706802 | NFR21GD4706802 muRata O805 | NFR21GD4706802.pdf | |
![]() | 74HC573D653 | 74HC573D653 ORIGINAL SMD or Through Hole | 74HC573D653.pdf |