창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N04S306AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S3-06 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 20/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 52µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N04S3-06 IPP80N04S3-06-ND IPP80N04S306 SP000261233 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N04S306AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N04S3, IPP80N04S306AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SIT8008AIE3-28E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008AIE3-28E.pdf | ||
RT0603CRE0726R1L | RES SMD 26.1OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE0726R1L.pdf | ||
ERJ-L1WUJ99MU | RES SMD 0.099 OHM 5% 1W 2512 | ERJ-L1WUJ99MU.pdf | ||
RG3216V-2941-B-T5 | RES SMD 2.94K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-2941-B-T5.pdf | ||
30-COT6-F | 30-COT6-F ORIGINAL SMD or Through Hole | 30-COT6-F.pdf | ||
16YXG1000MT810X20 | 16YXG1000MT810X20 RUBYCON DIP | 16YXG1000MT810X20.pdf | ||
WGP681M1AG18(10*18) | WGP681M1AG18(10*18) JAMICON SMD or Through Hole | WGP681M1AG18(10*18).pdf | ||
PWR MOD 700B | PWR MOD 700B LUCENT MODULE | PWR MOD 700B.pdf | ||
74LV373D.118 | 74LV373D.118 NXP SMD or Through Hole | 74LV373D.118.pdf | ||
UPD61167F1 | UPD61167F1 RENESAS BGA | UPD61167F1.pdf | ||
RJ23S3BBIET | RJ23S3BBIET SHARP HIP28 | RJ23S3BBIET.pdf |