창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80N04S2H4AKSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N04S2-H4 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev Obs 30/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 148nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001061288 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80N04S2H4AKSA2 | |
| 관련 링크 | IPP80N04S2, IPP80N04S2H4AKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BFC238330364 | 0.36µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) | BFC238330364.pdf | |
![]() | RT0603BRD0741K7L | RES SMD 41.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD0741K7L.pdf | |
![]() | Y1169100R000A9R | RES SMD 100OHM 0.05% 0.6W J LEAD | Y1169100R000A9R.pdf | |
![]() | MAX2660EUT-T | MAX2660EUT-T MAXIM SOT23-6 | MAX2660EUT-T.pdf | |
![]() | ETQP6F 4R1 LFA | ETQP6F 4R1 LFA ORIGINAL SMD | ETQP6F 4R1 LFA.pdf | |
![]() | TLR2HDTE8L00F | TLR2HDTE8L00F ORIGINAL SMD or Through Hole | TLR2HDTE8L00F.pdf | |
![]() | C80C187-10 | C80C187-10 INTEL CDIP | C80C187-10.pdf | |
![]() | R2560 | R2560 microsemi DO-4 | R2560.pdf | |
![]() | LT808CV | LT808CV ST SMD or Through Hole | LT808CV.pdf | |
![]() | IDT5962-8753101TD | IDT5962-8753101TD ORIGINAL DIP | IDT5962-8753101TD.pdf | |
![]() | PA-O | PA-O ORIGINAL SOP16 | PA-O.pdf | |
![]() | P6LG-053R3ELF | P6LG-053R3ELF PEAK SIP | P6LG-053R3ELF.pdf |