창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP70N10S3L12AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx70N10S3L-12 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.1m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 83µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP70N10S3L-12 IPP70N10S3L-12-ND SP000427252 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP70N10S3L12AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP70N10S3, IPP70N10S3L12AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 02013J2R2BBSTR | 2.2pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 02013J2R2BBSTR.pdf | |
![]() | 067301.5DRT4P | FUSE GLASS 1.5A 250VAC AXIAL | 067301.5DRT4P.pdf | |
![]() | R668-227G | R668-227G AUK SMD or Through Hole | R668-227G.pdf | |
![]() | 13N03LAG | 13N03LAG INFINEON T0251 | 13N03LAG.pdf | |
![]() | MAD2WDI | MAD2WDI N/A BGA | MAD2WDI.pdf | |
![]() | IXYSDSEI2X61-06C | IXYSDSEI2X61-06C ORIGINAL SMD or Through Hole | IXYSDSEI2X61-06C.pdf | |
![]() | LT1117CST-2.85 NOPB | LT1117CST-2.85 NOPB LT SOT223 | LT1117CST-2.85 NOPB.pdf | |
![]() | MFM41R11C222T1M00-54 | MFM41R11C222T1M00-54 ORIGINAL SMD or Through Hole | MFM41R11C222T1M00-54.pdf | |
![]() | WSL20100.041%R86 | WSL20100.041%R86 VISHAY SMD or Through Hole | WSL20100.041%R86.pdf | |
![]() | ELXV800ESS151MJ30S | ELXV800ESS151MJ30S NIPPON DIP | ELXV800ESS151MJ30S.pdf |