창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP65R660CFDXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx65R660CFD | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 615pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 62.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP65R660CFD IPP65R660CFD-ND SP000745026 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP65R660CFDXKSA1 | |
관련 링크 | IPP65R660C, IPP65R660CFDXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RCER71H225K2DBH03A | 2.2µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.124" W(5.50mm x 3.15mm) | RCER71H225K2DBH03A.pdf | |
![]() | 416F38422CDT | 38.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38422CDT.pdf | |
![]() | 1N5533B1JANTX | 1N5533B1JANTX MSC SMD or Through Hole | 1N5533B1JANTX.pdf | |
![]() | LTW-670GS | LTW-670GS LITE-ON 1210 | LTW-670GS.pdf | |
![]() | NRWS470M100V10X12.5F | NRWS470M100V10X12.5F NIC DIP | NRWS470M100V10X12.5F.pdf | |
![]() | TLP561G(IFT5) | TLP561G(IFT5) TOSHIBA IFT5 | TLP561G(IFT5).pdf | |
![]() | 3329H001501 | 3329H001501 BOURNS SMD or Through Hole | 3329H001501.pdf | |
![]() | E42/21/15-3C90-A315 | E42/21/15-3C90-A315 FERROX SMD or Through Hole | E42/21/15-3C90-A315.pdf | |
![]() | I1-5048-8 | I1-5048-8 HARRIS DIP | I1-5048-8.pdf | |
![]() | 2SA1037AKR | 2SA1037AKR LRC SOT-23 | 2SA1037AKR.pdf |