창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP65R660CFDXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx65R660CFD | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 615pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 62.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP65R660CFD IPP65R660CFD-ND SP000745026 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP65R660CFDXKSA1 | |
관련 링크 | IPP65R660C, IPP65R660CFDXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
672D108H015ET5D | 1000µF 15V Aluminum Capacitors Radial, Can | 672D108H015ET5D.pdf | ||
GRM1555C1E9R1CA01D | 9.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E9R1CA01D.pdf | ||
MCR10ERTF6652 | RES SMD 66.5K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF6652.pdf | ||
NVT210DMTR2G | SENSOR TEMP I2C/SMBUS 8WDFN | NVT210DMTR2G.pdf | ||
S1916P | S1916P INF SOP-20 | S1916P.pdf | ||
ADC081S021 | ADC081S021 NS LLP-6 | ADC081S021.pdf | ||
HUAG8T2ATR/BC-TPCB | HUAG8T2ATR/BC-TPCB HYNIX TSOP | HUAG8T2ATR/BC-TPCB.pdf | ||
293D105X0010P2TE3 | 293D105X0010P2TE3 VISHAY SMD or Through Hole | 293D105X0010P2TE3.pdf | ||
G6B-1184P-5V | G6B-1184P-5V OMRON SMD or Through Hole | G6B-1184P-5V.pdf | ||
6ESB | 6ESB SYLVANIA SMD or Through Hole | 6ESB.pdf | ||
LTL-553P-11 | LTL-553P-11 LITEON ROHS | LTL-553P-11.pdf | ||
BAS31-V-GS08 | BAS31-V-GS08 VISHAY SMD or Through Hole | BAS31-V-GS08.pdf |