창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP60R520E6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R520E6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 2.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 230µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 512pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 66W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP60R520E6 IPP60R520E6-ND SP000797294 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP60R520E6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP60R520, IPP60R520E6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | K273M20X7RH53L2 | 0.027µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K273M20X7RH53L2.pdf | |
![]() | SIT1602ACL1-33E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602ACL1-33E.pdf | |
![]() | CMF551K2600BEEA70 | RES 1.26K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K2600BEEA70.pdf | |
![]() | 2SC3082K | 2SC3082K ROHM SOT23 | 2SC3082K.pdf | |
![]() | SR30-10R-6S | SR30-10R-6S HIROSE SMD or Through Hole | SR30-10R-6S.pdf | |
![]() | APK3020SURC-F01 | APK3020SURC-F01 KIBGBRIGHT ROHS | APK3020SURC-F01.pdf | |
![]() | LTV844H | LTV844H LTV DIP | LTV844H.pdf | |
![]() | SiS82C452 | SiS82C452 N/A PLCC68 | SiS82C452.pdf | |
![]() | PIC16C774-I/L | PIC16C774-I/L MIC PLCC | PIC16C774-I/L.pdf | |
![]() | W19B323MTB9G | W19B323MTB9G WINBOND SMD or Through Hole | W19B323MTB9G.pdf | |
![]() | BA9853F-E2-ND | BA9853F-E2-ND ROHM SOP8 | BA9853F-E2-ND.pdf |