창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R280P6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R280P6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 430µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001017062 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP60R280P6XKSA1 | |
관련 링크 | IPP60R280, IPP60R280P6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ZXMC3A16DN8TA | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | ZXMC3A16DN8TA.pdf | |
![]() | 4116R-1-154 | RES ARRAY 8 RES 150K OHM 16DIP | 4116R-1-154.pdf | |
![]() | CR6251-500-5 | TRANSDCR AC 0-5VDC OUT 3PHASE | CR6251-500-5.pdf | |
![]() | 3DG7D | 3DG7D CHINA TO-39 | 3DG7D.pdf | |
![]() | MIG75J6CSB1W | MIG75J6CSB1W ORIGINAL SMD or Through Hole | MIG75J6CSB1W.pdf | |
![]() | SDC-C4 | SDC-C4 SYNERGY SMD or Through Hole | SDC-C4.pdf | |
![]() | CS1206KKX7R6BB105 | CS1206KKX7R6BB105 YAGEO SMD | CS1206KKX7R6BB105.pdf | |
![]() | CS5396 | CS5396 CS SOP | CS5396.pdf | |
![]() | ONET8501PBRGTR | ONET8501PBRGTR TI QFN | ONET8501PBRGTR.pdf | |
![]() | F2J6TP | F2J6TP ORIGIN SMD | F2J6TP.pdf | |
![]() | 0603 560R | 0603 560R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 560R.pdf |