창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP60R190E6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R190E6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 151W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP60R190E6XKSA1 SP000797378 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP60R190E6 | |
| 관련 링크 | IPP60R, IPP60R190E6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27125AKT | 27.12MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27125AKT.pdf | |
![]() | CRCW08051R50FKEA | RES SMD 1.5 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051R50FKEA.pdf | |
![]() | RG3216P-3403-B-T1 | RES SMD 340K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-3403-B-T1.pdf | |
![]() | Y0007250R000B9L | RES 250 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0007250R000B9L.pdf | |
![]() | 344-0065-A | 344-0065-A ORIGINAL DIP20 | 344-0065-A.pdf | |
![]() | MC3387PNB | MC3387PNB FREESCALE PQFN | MC3387PNB.pdf | |
![]() | BTB26-600B | BTB26-600B ST TO-3P | BTB26-600B.pdf | |
![]() | 1075MP | 1075MP Microsemi SMD or Through Hole | 1075MP.pdf | |
![]() | EW50230FLY | EW50230FLY EDT LCD | EW50230FLY.pdf | |
![]() | MBA0204-50KL-68K1-1% | MBA0204-50KL-68K1-1% BEYSCHLAG SMD or Through Hole | MBA0204-50KL-68K1-1%.pdf | |
![]() | VA1A5JZ9902A-ISDB-T | VA1A5JZ9902A-ISDB-T SHARP SMD or Through Hole | VA1A5JZ9902A-ISDB-T.pdf |