창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R190C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R190C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP60R190C6XKSA1 SP000621158 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP60R190C6 | |
관련 링크 | IPP60R, IPP60R190C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VS-VSKE196/16PBF | DIODE GEN 1.4KV 195A INTAPAK | VS-VSKE196/16PBF.pdf | |
![]() | ELK-E470FA | LC (T-Type) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 47pF 2A 1207 (3218 Metric), 3 PC Pad | ELK-E470FA.pdf | |
![]() | ERJ-1GEF2371C | RES SMD 2.37K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF2371C.pdf | |
![]() | TLE49681LHALA1 | IC HALL EFFECT SSO-3 | TLE49681LHALA1.pdf | |
VEMD6110X01 | Photodiode 950nm 100ns 60° | VEMD6110X01.pdf | ||
![]() | 104346-2 | 104346-2 AMP ORIGINAL | 104346-2.pdf | |
![]() | IKF6862-A0-LB1 | IKF6862-A0-LB1 IKANOS 484-PBGA | IKF6862-A0-LB1.pdf | |
![]() | HSC277 | HSC277 RENESAS SMD or Through Hole | HSC277.pdf | |
![]() | AM82801IUX QS45 ES | AM82801IUX QS45 ES INTEL BGA | AM82801IUX QS45 ES.pdf | |
![]() | M34501 | M34501 ORIGINAL SMD | M34501.pdf | |
![]() | TPS7828-33DBVR | TPS7828-33DBVR TI SOT23-5 | TPS7828-33DBVR.pdf | |
![]() | CL31B105KAHNNN | CL31B105KAHNNN SAMSUNG SMD | CL31B105KAHNNN.pdf |