창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R160C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R160C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 11.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 750µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 176W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP60R160C6XKSA1 SP000652796 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP60R160C6 | |
관련 링크 | IPP60R, IPP60R160C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
BFC238552392 | 3900pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | BFC238552392.pdf | ||
PSMN7R0-100ES,127 | MOSFET N-CH 100V I2PAK | PSMN7R0-100ES,127.pdf | ||
CDH3D13SNP-3R6MC | 3.6µH Unshielded Inductor 1.65A 150 mOhm Max Nonstandard | CDH3D13SNP-3R6MC.pdf | ||
RNCF1206DTE12K7 | RES SMD 12.7K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RNCF1206DTE12K7.pdf | ||
MT1392/C | MT1392/C MTK TQFP80 | MT1392/C.pdf | ||
PI74FCT162373TAA1 | PI74FCT162373TAA1 PI TSSOP | PI74FCT162373TAA1.pdf | ||
TSM10201SSVPTR | TSM10201SSVPTR samtec SMD or Through Hole | TSM10201SSVPTR.pdf | ||
PCK-820F | PCK-820F ORIGINAL DIP | PCK-820F.pdf | ||
831-0246T | 831-0246T ORIGINAL SMD or Through Hole | 831-0246T.pdf | ||
SIH31-10 | SIH31-10 FUJI SMD or Through Hole | SIH31-10.pdf | ||
HY57V1616100TC-8 | HY57V1616100TC-8 HY DIP/SMD | HY57V1616100TC-8.pdf | ||
UPD6600AGS-B41-T1 | UPD6600AGS-B41-T1 NEC SMD or Through Hole | UPD6600AGS-B41-T1.pdf |