창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R125P6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPW60R125P6, IPP60R125P6, IPA60R125P6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ P6 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 11.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 960µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2660pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 219W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001114648 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP60R125P6XKSA1 | |
관련 링크 | IPP60R125, IPP60R125P6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F24035ISR | 24MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24035ISR.pdf | |
![]() | M36WOR6050B3ZAQ | M36WOR6050B3ZAQ ST BGA | M36WOR6050B3ZAQ.pdf | |
![]() | MT48LC816A2-7E | MT48LC816A2-7E MT 06+ | MT48LC816A2-7E.pdf | |
![]() | SMJ27C512-90JE | SMJ27C512-90JE TI DIP | SMJ27C512-90JE.pdf | |
![]() | KM68512ALGI-7 | KM68512ALGI-7 Samsung SOP32 | KM68512ALGI-7.pdf | |
![]() | DGF2412850S1FTLYH12S | DGF2412850S1FTLYH12S DAIN SMD or Through Hole | DGF2412850S1FTLYH12S.pdf | |
![]() | AD7772JN | AD7772JN AD DIP | AD7772JN.pdf | |
![]() | LTC2361HTS8#TRMPBF | LTC2361HTS8#TRMPBF LT SMD or Through Hole | LTC2361HTS8#TRMPBF.pdf | |
![]() | 1426-0020 14V | 1426-0020 14V USI SMD or Through Hole | 1426-0020 14V.pdf | |
![]() | 1SV217 NOPB | 1SV217 NOPB TOSHIBA SOD323 | 1SV217 NOPB.pdf | |
![]() | S-AV83L | S-AV83L TOSHIBA SMD or Through Hole | S-AV83L.pdf | |
![]() | OSF9732W | OSF9732W ORCA SOP | OSF9732W.pdf |