Infineon Technologies IPP60R125P6XKSA1

IPP60R125P6XKSA1
제조업체 부품 번호
IPP60R125P6XKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V TO220-3
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내부 부품 번호EIS-IPP60R125P6XKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPW60R125P6, IPP60R125P6, IPA60R125P6
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™ P6
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs125m옴 @ 11.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 960µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs56nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2660pF @ 100V
전력 - 최대219W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지PG-TO220-3
표준 포장 500
다른 이름SP001114648
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPP60R125P6XKSA1
관련 링크IPP60R125, IPP60R125P6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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24MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F24035ISR.pdf
M36WOR6050B3ZAQ ST BGA M36WOR6050B3ZAQ.pdf
MT48LC816A2-7E MT 06+ MT48LC816A2-7E.pdf
SMJ27C512-90JE TI DIP SMJ27C512-90JE.pdf
KM68512ALGI-7 Samsung SOP32 KM68512ALGI-7.pdf
DGF2412850S1FTLYH12S DAIN SMD or Through Hole DGF2412850S1FTLYH12S.pdf
AD7772JN AD DIP AD7772JN.pdf
LTC2361HTS8#TRMPBF LT SMD or Through Hole LTC2361HTS8#TRMPBF.pdf
1426-0020 14V USI SMD or Through Hole 1426-0020 14V.pdf
1SV217 NOPB TOSHIBA SOD323 1SV217 NOPB.pdf
S-AV83L TOSHIBA SMD or Through Hole S-AV83L.pdf
OSF9732W ORCA SOP OSF9732W.pdf