창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP600N25N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx600N25N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP600N25N3G IPP600N25N3GXKSA1 SP000677832 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP600N25N3 G | |
| 관련 링크 | IPP600N, IPP600N25N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MCR100JZHF2212 | RES SMD 22.1K OHM 1% 1W 2512 | MCR100JZHF2212.pdf | |
![]() | CRGV2512F1M65 | RES SMD 1.65M OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F1M65.pdf | |
![]() | RNF14BAE5K90 | RES 5.9K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE5K90.pdf | |
![]() | C164 | C164 MOT DIP | C164.pdf | |
![]() | UN900TJ | UN900TJ PAN SOT523 | UN900TJ.pdf | |
![]() | 875B-1CC-F-VU06-12VSC | 875B-1CC-F-VU06-12VSC ORIGINAL SMD or Through Hole | 875B-1CC-F-VU06-12VSC.pdf | |
![]() | TGM-HA240NSRL | TGM-HA240NSRL HALO SOP | TGM-HA240NSRL.pdf | |
![]() | 50YXH100M8X11.5 | 50YXH100M8X11.5 Rubycon DIP-2 | 50YXH100M8X11.5.pdf | |
![]() | 74LS158BI | 74LS158BI SGS DIP | 74LS158BI.pdf | |
![]() | M95640-WDW6TG-ST | M95640-WDW6TG-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | M95640-WDW6TG-ST.pdf | |
![]() | ECKANA102MB | ECKANA102MB PANASONIC DIP | ECKANA102MB.pdf |