창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP50N10S3L-16 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx50N10S3L-16 | |
| 카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 60µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP50N10S3L16 IPP50N10S3L16AKSA1 SP000407118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP50N10S3L-16 | |
| 관련 링크 | IPP50N10, IPP50N10S3L-16 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GQM1875C2E360JB12D | 36pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GQM1875C2E360JB12D.pdf | |
![]() | TK4A60DB(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS | TK4A60DB(STA4,Q,M).pdf | |
![]() | CLF6045T-331M-D | 330µH Shielded Wirewound Inductor 440mA 1.164 Ohm Max Nonstandard | CLF6045T-331M-D.pdf | |
![]() | 32H6825 | 32H6825 ORIGINAL SQFP48 | 32H6825.pdf | |
![]() | MBR2035PT | MBR2035PT LT TO-3P | MBR2035PT.pdf | |
![]() | T5CE6 | T5CE6 TOS SMD or Through Hole | T5CE6.pdf | |
![]() | 110RKI20 | 110RKI20 IR TO-209ACSCRTO-94 | 110RKI20.pdf | |
![]() | SXE6.3VB331M6X15LL | SXE6.3VB331M6X15LL NIPPON DIP | SXE6.3VB331M6X15LL.pdf | |
![]() | RT3352 | RT3352 RALINK BGA | RT3352.pdf | |
![]() | PT78HT205S.. | PT78HT205S.. POWERTRENDS SMD or Through Hole | PT78HT205S...pdf |