창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP45N06S4L08AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx45N06S4L-08 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev Obs 30/Mar/2016 Mult Dev OBS Reversal 29/Apr/2016 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 35µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP45N06S4L-08 IPP45N06S4L-08-ND SP000374340 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP45N06S4L08AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP45N06S4, IPP45N06S4L08AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | HVR2500004873FR500 | RES 487K OHM 1/4W 1% AXIAL | HVR2500004873FR500.pdf | |
![]() | CMF201R8000JNEA | RES 1.8 OHM 1W 5% AXIAL | CMF201R8000JNEA.pdf | |
![]() | GAL20RA10-20LR883C | GAL20RA10-20LR883C LATTICE CLCC28 | GAL20RA10-20LR883C.pdf | |
![]() | NEC70236GD-12 | NEC70236GD-12 NEC QFP | NEC70236GD-12.pdf | |
![]() | 65SO | 65SO TOREX SOT-23 | 65SO.pdf | |
![]() | W93516 | W93516 WINBOND QFP | W93516.pdf | |
![]() | SE681 | SE681 ORIGINAL SOP | SE681.pdf | |
![]() | IRF4212PBF | IRF4212PBF IR TO-220 | IRF4212PBF.pdf | |
![]() | AM3779-02 | AM3779-02 AMD SMD or Through Hole | AM3779-02.pdf | |
![]() | CM6610 | CM6610 C-MEDIA SMD or Through Hole | CM6610.pdf | |
![]() | 70553-0001 | 70553-0001 MLX SMD or Through Hole | 70553-0001.pdf | |
![]() | 82577-7005631-05-02 | 82577-7005631-05-02 ORIGINAL CDIP | 82577-7005631-05-02.pdf |