창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP147N12N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.7m옴 @ 56A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 61µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP147N12N3G IPP147N12N3GXKSA1 SP000652742 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP147N12N3 G | |
관련 링크 | IPP147N, IPP147N12N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SS11VL-R07190 | 19mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 700mA DCR 900 mOhm | SS11VL-R07190.pdf | |
![]() | ERJ-12SF7872U | RES SMD 78.7K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-12SF7872U.pdf | |
![]() | SMB3025500YA | SMB3025500YA ORIGINAL SMB | SMB3025500YA.pdf | |
![]() | NPDAU | NPDAU ORIGINAL QFN | NPDAU.pdf | |
![]() | BTA208-600E,127 | BTA208-600E,127 NXP TO-220AB | BTA208-600E,127.pdf | |
![]() | 5.49275.0321303 | 5.49275.0321303 C&K SMD or Through Hole | 5.49275.0321303.pdf | |
![]() | MP3H6115AC6U-ND | MP3H6115AC6U-ND Freescale SMD or Through Hole | MP3H6115AC6U-ND.pdf | |
![]() | RL56CSMV3/R717824 | RL56CSMV3/R717824 ROC BGA | RL56CSMV3/R717824.pdf | |
![]() | OCX0127-13 3.000MHZ | OCX0127-13 3.000MHZ ISOTEMP SMD or Through Hole | OCX0127-13 3.000MHZ.pdf | |
![]() | D10VB60 | D10VB60 SHINDENGEN DIP4 | D10VB60.pdf | |
![]() | 3AG54B | 3AG54B CHINA TO-18 | 3AG54B.pdf | |
![]() | 267N1602475KR | 267N1602475KR MATSUO SMD | 267N1602475KR.pdf |