창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP120N08S404AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx120N08S4-04 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 179W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000989096 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP120N08S404AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP120N08S, IPP120N08S404AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | PESD5V0F1BRLDYL | TVS DIODE 5.5VWM 15VC DFN1006-2 | PESD5V0F1BRLDYL.pdf | |
![]() | ASMPH-1008-2R2M-T | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 1008 (2520 Metric) | ASMPH-1008-2R2M-T.pdf | |
![]() | RG2012P-8872-D-T5 | RES SMD 88.7K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-8872-D-T5.pdf | |
![]() | H4P360RFCA | RES 360 OHM 1W 1% AXIAL | H4P360RFCA.pdf | |
![]() | CW01057K00KE123 | RES 57K OHM 13W 10% AXIAL | CW01057K00KE123.pdf | |
![]() | TEA6820 | TEA6820 PHILIPS SMD or Through Hole | TEA6820.pdf | |
![]() | QM27128-25DI | QM27128-25DI AMD CDIP28 | QM27128-25DI.pdf | |
![]() | 3813D-1 | 3813D-1 TI SOP-8 | 3813D-1.pdf | |
![]() | LTV725F | LTV725F LITE-ON SMD or Through Hole | LTV725F.pdf | |
![]() | PMB600257SD | PMB600257SD SIE SOP-16 | PMB600257SD.pdf | |
![]() | CDR7D43MNNP-1O1N | CDR7D43MNNP-1O1N SUMIDA SMD or Through Hole | CDR7D43MNNP-1O1N.pdf | |
![]() | LQP0603T1N0B04T1M1-01 | LQP0603T1N0B04T1M1-01 MURATA SMD or Through Hole | LQP0603T1N0B04T1M1-01.pdf |